Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CERDIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 50V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +16V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 50V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 5.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +16V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 350V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.25mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.25mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.67mV. Stromaufnahme [mA]: 14uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-99. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, extrem niedrige Vorspannung. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 4.8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Audioanwendungen. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: überragende Klangqualität. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,00008 % bei 1 kHz

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Audioanwendungen. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Spec info: MicroAmplifier, FET INPUT--IB5pA

Funktion: Operationsverstärker. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: O1602A. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Versorgungsspannung: 40V. Hinweis: Wide Band 35MHz. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrungsrate von 0,00003 % bei 1 kHz. Hinweis: überragende Klangqualität

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: ±2.25...±18V. Versorgungsspannung: 40V. Hinweis: GBW (Typ) 40MHz. Hinweis: Slew Rate (Typ) 27V/us. Hinweis: überragende Klangqualität. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,000015 % bei 1 kHz

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: ±2.25...±18V. Versorgungsspannung: 40V. Hinweis: GBW (Typ) 40MHz. Hinweis: Slew Rate (Typ) 27V/us. Hinweis: überragende Klangqualität. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,000015 % bei 1 kHz

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: MSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerPAD MSOP-8. Funktion: Audioverstärker der Klasse AB (Mono), +/2,5 V bis +/-16 V Netzteil, 8p MSOP-Gehäuse. Hinweis: Operationsverstärker. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,000022 % bei 1 kHz

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.11mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: Eingangsoffsetspannung 10uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V