Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Operationsverstärker

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OP213FSZ

OP213FSZ

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
OP213FSZ
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
OP213FSZ
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
OP213FSZ-REEL
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3.4 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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OP2177AR

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO....
OP2177AR
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
OP2177ARZ-REEL7
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterpl...
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 22V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.25mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 22V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.25mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: OP275GSZ
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: OP275GSZ
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfig...
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 24uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 24uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
OP290GPZ
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 24uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 20kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 24uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
OP295GPZ
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 85kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 350uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 85kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 350uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 85kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 350uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 85kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 350uA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 63 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 17V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 63 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 17V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfigur...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.4mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.4mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V
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