Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 40kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 350 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 275V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 28 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 28 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.25mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Schaltungstyp: Quad-schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 3. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 600V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 16.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3.3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 90kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 40V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.4mV. Stromaufnahme [mA]: 14uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 90kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 40V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.4mV. Stromaufnahme [mA]: 14uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.125 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.125V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.125 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.125V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 275 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 850V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker, differenziell. Mindestversorgungsspannung (V): +9.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 275 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 850V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker, differenziell. Mindestversorgungsspannung (V): +9.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Stromversorgungsstromsensor. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 60 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 17V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.015mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.7V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.0075mV. Stromaufnahme [mA]: 90uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Schaltungstyp: elektrischer Stromverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.8kHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.028mV. Stromaufnahme [mA]: 0.021mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.75mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Quad-schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 60kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.025V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.12mV. Stromaufnahme [mA]: 34uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 60kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.025V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.12mV. Stromaufnahme [mA]: 68uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 60kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.025V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.12mV. Stromaufnahme [mA]: 68uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 12V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.14mV. Stromaufnahme [mA]: 0.02mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MAX492CPA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MAX492CSA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V