Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 70 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 85V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Differenzausgang. Mindestversorgungsspannung (V): +2.375V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: elektrischer Stromverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Stromverstärker, Komparator. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 0.45mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +60V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 215 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 70V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.35mV. Stromaufnahme [mA]: 350mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.18 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, Doppelt. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.003mV. Stromaufnahme [mA]: 0.15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Hinweis: OP-IC

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C. Hinweis: OP-IC

Betriebstemperatur: -20...+75°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-143. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schaltungstyp: Breitbandverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.1GHz. Stromaufnahme [mA]: 16mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 600V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 5.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +3.15V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 600V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 5.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +3.15V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 3. Bandbreite [MHz]: 150 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 600V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4mV. Stromaufnahme [mA]: 16.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +3.3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 140 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 600V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4mV. Stromaufnahme [mA]: 22mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Quad-schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +3.15V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 180 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 650V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6.5mV. Stromaufnahme [mA]: 43mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Videopuffer. Mindestversorgungsspannung (V): +9.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 40kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 40kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit geringem Verbrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 40kHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 5V/ms. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V