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On Semiconductor

On Semiconductor MJE18008G NPN Transistor - TO-220

Produktreferenz : MJE18008G
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Technische Spezifikationen

5 Parameter
ParameterWert
Max. Vcbo Spannung1000 V
Max. Ic Strom8.0 A
GehäuseTO-220
TypNPN

Technische Produktbeschreibung (MJE18008G):

Der MJE18008G ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem TO-220-Gehäuse. Ideal für allgemeine Schalt- und Verstärkungsaufgaben.<br><br>