NTE219

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	7.74€	9.21€
2 - 2	7.35€	8.75€
3 - 4	6.97€	8.29€
5 - 9	6.58€	7.83€
10 - 15	6.43€	7.65€

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Set mit 1

NTE219. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.

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