NPN-Transistor ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+200°C. FT: 130 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat)0,92V. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.58W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:05