NPN-Transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

NPN-Transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.26€
5-24
1.08€
25-99
0.95€
100-199
0.86€
200+
0.73€
Menge auf Lager: 125

NPN-Transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 175 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX753. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:05

Technische Dokumentation (PDF)
ZTX653
26 Parameter
Kollektorstrom
2A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+200°C
CE-Diode
nein
FT
175 MHz
Funktion
Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
6A
Kosten)
30pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) ZTX753
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.13V
Technologie
SILICON PLANAR
Tf(max)
1200 ns
Tf(min)
80 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
120V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.