Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
BE-Widerstand
R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Collector-Base-Spannung VCBO
100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
500
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP142
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Komponentenfamilie
Darlington NPN-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
Maximaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP147
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Technologie
Monolithisches Darlington
Typ
Darlington-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics