NPN-Transistor TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V
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NPN-Transistor TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP137. Ic(Impuls): 12V. Kollektorstrom Ic [A]: 8A. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 70pF. Leistung: 70W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Maximaler hFE-Gewinn: 15000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: THT. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Polarität: bipolar. RoHS: nein. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP132. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08