NPN-Transistor TIP127, TO-220, 5A, -100V, TO-220, 100V

NPN-Transistor TIP127, TO-220, 5A, -100V, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.64€
5-49
0.53€
50-99
0.45€
100-199
0.40€
200+
0.34€
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NPN-Transistor TIP127, TO-220, 5A, -100V, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 75pF. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 1000. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP127. Ic(Impuls): 8A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 5A. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 10pF. Leistung: 75W. MSL: -. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: TIP127. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122. Strom max 1: -5A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP127
40 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom
5A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
C(in)
75pF
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
1000
Darlington-Transistor?
ja
FT
kHz
Funktion
16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP127
Ic(Impuls)
8A
Kollektorstrom Ic [A]
5A
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
10pF
Leistung
75W
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
65W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
TIP127
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP122
Strom max 1
-5A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics