NPN-Transistor TIP122G, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 1000. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP122G. Ic(Impuls): 8A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 200pF. Leistung: 65W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: TIP122G. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. Strom max 1: 5A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08