NPN-Transistor STN93003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V

NPN-Transistor STN93003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
0.69€
5-49
0.58€
50-99
0.50€
100-199
0.46€
200+
0.39€
Menge auf Lager: 68

NPN-Transistor STN93003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -40...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N93003. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN83003. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

STN93003
25 Parameter
Kollektorstrom
1.5A
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-40...+150°C
CE-Diode
nein
Funktion
Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
3A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
N93003
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
1000
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Maximaler hFE-Gewinn
32
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.6W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) STN83003
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics