NPN-Transistor PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA
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NPN-Transistor PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA. Gehäuse: SOT-363. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 6. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Herstellerkennzeichnung: D*2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Komponentenfamilie: Paar NPN- und PNP-Transistoren. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22
PUMD2-R-P-R
12 Parameter
Gehäuse
SOT-363
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
6
Grenzfrequenz ft [MHz]
180 MHz
Herstellerkennzeichnung
D*2
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
50V
Komponentenfamilie
Paar NPN- und PNP-Transistoren
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.3W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Nexperia