NPN-Transistor PMBT2369, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V
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NPN-Transistor PMBT2369, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. FT: 500 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P1J, T1J. Transistortyp: NPN. VCBO: 15V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22
PMBT2369
17 Parameter
Kollektorstrom
0.2A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
BE-Diode
nein
CE-Diode
ja
FT
500 MHz
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.25W
Spec info
Siebdruck/SMD-Code P1J, T1J
Transistortyp
NPN
VCBO
15V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors
Mindestmenge
10