NPN-Transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *08. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P08/T08. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03