NPN-Transistor PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V

NPN-Transistor PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.24€
5-24
1.07€
25-49
0.96€
50-99
0.89€
100+
0.79€
Menge auf Lager: 98

NPN-Transistor PBSS4041NX, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 6.2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 130 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) PBSS4041PX. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6F. Kosten): 35pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 320mV. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6F. Sättigungsspannung VCE(sat): 35mV. Tf (Typ): 220 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22

Technische Dokumentation (PDF)
PBSS4041NX
27 Parameter
Kollektorstrom
6.2A
Gehäuse
SOT-89
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
130 MHz
Funktion
Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) PBSS4041PX
Ic(Impuls)
15A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
6F
Kosten)
35pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
320mV
Maximaler hFE-Gewinn
500
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
75
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.6W
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 6F
Sättigungsspannung VCE(sat)
35mV
Tf (Typ)
220 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
60V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors