NPN-Transistor MMUN2233LT1G, SOT-23, 100mA
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NPN-Transistor MMUN2233LT1G, SOT-23, 100mA. Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: A8K. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.246W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:55
MMUN2233LT1G
12 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Herstellerkennzeichnung
A8K
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
50V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.246W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi