NPN-Transistor MMUN2111LT1G-R, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA

NPN-Transistor MMUN2111LT1G-R, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA

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NPN-Transistor MMUN2111LT1G-R, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: A6A. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

Technische Dokumentation (PDF)
MMUN2111LT1G-R
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
50V
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Herstellerkennzeichnung
A6A
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.24W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi
Mindestmenge
10