NPN-Transistor MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code G1 (3S Fairchild). Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Vebo: 6V. Äquivalente: MMBT5551LT1G. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37