NPN-Transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

NPN-Transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Menge
Stückpreis
1-99
0.16€
100-999
0.10€
1000-2999
0.0635€
3000+
0.0586€
Menge auf Lager: 3622

NPN-Transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: 2L. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

Technische Dokumentation (PDF)
MMBT5401LT1G
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
150V
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
100 MHz
Herstellerkennzeichnung
2L
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi