NPN-Transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2F. Kosten): 1.6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37