NPN-Transistor MMBT2907A-2F, SOT-23, TO-236, 60V, 800mA
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1-99
0.17€
100-499
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NPN-Transistor MMBT2907A-2F, SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Herstellerkennzeichnung: 2F. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50
MMBT2907A-2F
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
60V
Kollektorstrom Ic [A], max.
800mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
200 MHz
Herstellerkennzeichnung
2F
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.35W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi (fairchild)