NPN-Transistor MMBT2222ALT1G, SOT-23, 600mA
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NPN-Transistor MMBT2222ALT1G, SOT-23, 600mA. Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Herstellerkennzeichnung: 1P. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50
MMBT2222ALT1G
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Kollektorstrom Ic [A], max.
600mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Herstellerkennzeichnung
1P
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
40V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.3W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi