NPN-Transistor MJW21196, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21195. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37