NPN-Transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

NPN-Transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Menge
Stückpreis
1-4
7.56€
5-14
6.90€
15-29
6.39€
30-59
5.93€
60+
5.22€
Menge auf Lager: 49

NPN-Transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 25A. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Produktionsdatum: 201446. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW3281A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJW1302AG
26 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
230V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
Komplementärer bipolarer Leistungstransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
25A
Maximaler hFE-Gewinn
200
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
50
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Produktionsdatum
201446
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJW3281A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Technologie
Bipolarer Leistungstransistor
Transistortyp
PNP
VCBO
230V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor