NPN-Transistor MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

NPN-Transistor MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

Menge
Stückpreis
1-4
9.44€
5-9
8.61€
10-24
7.96€
25-49
7.48€
50+
6.78€
Menge auf Lager: 9

NPN-Transistor MJL4302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -60...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 35 MHz. Funktion: Power-Audio, geringe harmonische Verzerrung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL4281A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJL4302A
27 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
350V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-60...+150°C
CE-Diode
nein
FT
35 MHz
Funktion
Power-Audio, geringe harmonische Verzerrung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
25
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
50
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
230W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJL4281A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Technologie
Silicon Power Bipolar Transistor
Transistortyp
PNP
VCBO
350V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor