NPN-Transistor MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A
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NPN-Transistor MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 450/400V. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom: -8A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: MJE5852G. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 80W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
MJE5852G
17 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
450/400V
Gehäuse
TO-220AB
Kollektorstrom
-8A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
400V
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Herstellerkennzeichnung
MJE5852G
Komponentenfamilie
Hochspannungs-PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
80W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
80W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi