NPN-Transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA
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NPN-Transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom: -0.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: MJE350G. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 20W. Max Frequenz: 10MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
MJE350G
18 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-300V
Gehäuse
TO-126
Kollektorstrom
-0.5A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
300V
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Herstellerkennzeichnung
MJE350G
Komponentenfamilie
Hochspannungs-PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
20W
Max Frequenz
10MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi