NPN-Transistor MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJE3055T. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A]: 10A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 200pF. Leistung: 90W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 70V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Technologie: Epitaxie-Basis. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27