NPN-Transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

NPN-Transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.73€
5-24
0.61€
25-49
0.53€
50-99
0.48€
100+
0.42€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 84

NPN-Transistor MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Halbleitermaterial: Silizium. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Technologie: Epitaxie-Basis. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

MJE2955T-CDIL
25 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
2 MHz
Funktion
für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler
Halbleitermaterial
Silizium
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
8V
Maximaler hFE-Gewinn
100
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.1V
Technologie
Epitaxie-Basis
Transistortyp
PNP
VCBO
70V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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