NPN-Transistor MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V
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NPN-Transistor MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 8A. Kosten): 200pF. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27