NPN-Transistor MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V
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NPN-Transistor MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom Ic [A], max.: 4mA. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJE243G. Ic(Impuls): 8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.015W. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27