NPN-Transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G

NPN-Transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G. NPN-Transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE210. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 06:25.