NPN-Transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Ic(Impuls): 8A. Kosten): 2.5pF. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27