NPN-Transistor MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A
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NPN-Transistor MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom: 8A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Herstellerkennzeichnung: MJE13007G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 80W. Max Frequenz: 14 MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
MJE13007G
19 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
400V
Gehäuse
TO-220AB
Kollektorstrom
8A
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Grenzfrequenz ft [MHz]
4 MHz
Herstellerkennzeichnung
MJE13007G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
400V
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
80W
Max Frequenz
14 MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
80W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi