NPN-Transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kollektorstrom Ic [A]: 8A. Kosten): 80pF. Leistung: 80W. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 400V. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05