NPN-Transistor MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

NPN-Transistor MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A

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NPN-Transistor MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 90 MHz. Herstellerkennzeichnung: J45H11. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

Technische Dokumentation (PDF)
MJD45H11G
13 Parameter
Gehäuse
D-PAK
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
90 MHz
Herstellerkennzeichnung
J45H11
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi