NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A - MJD45H11G

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A - MJD45H11G. NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J45H11. Grenzfrequenz ft [MHz]: 90 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.