NPN-Transistor MJ11016, TO3, 120V
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NPN-Transistor MJ11016, TO3, 120V. Gehäuse: TO3. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 120V. Bandbreite MHz: 4MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: 120V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Konditionierung: -. Leistung: 200W. MSL: -. Montage/Installation: THT. Montageart: Chassis -Berg. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: MJ11016. Spannung (Sammler - Emitter): 120V. Strom max 1: 30A. Transistortyp: Darlington-Transistor. Typ: Darlington-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Various. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:37
MJ11016
17 Parameter
Gehäuse
TO3
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
120V
Bandbreite MHz
4MHz
Collector-Base-Spannung VCBO
120V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
200
Kollektorstrom Ic [A]
30A
Leistung
200W
Montage/Installation
THT
Montageart
Chassis -Berg
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
MJ11016
Spannung (Sammler - Emitter)
120V
Strom max 1
30A
Transistortyp
Darlington-Transistor
Typ
Darlington-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Various