NPN-Transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 2.5pF. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Tf(max): 0.6us. Transistortyp: NPN. VCBO: 650V. Vebo: 8V. Originalprodukt vom Hersteller: Mospec Semiconductor Corp. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05