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NPN Transistor mit Diode 850V/375V 12A 120W S-L - BU415A
Produktreferenz : BU415A
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Technische Produktbeschreibung (BU415A):
NPN Transistor mit Diode 850/375V 12A 120W S-L BU415A. B Widerstand: --. B-E Diode: --. B-E Widerstand: --. C (in): --. C (out): --. C-E Diode: --. DB/Gehäuse: 1 Stk. Halbleitermaterial: Si. Funktion: S-L TV-HA. Ic: 12 A. Pd: 120 W. Transistortyp: NPN. Vcbo: 850 V. Vceo: 375 V