NPN-Transistor MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

NPN-Transistor MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Menge
Stückpreis
1-4
2.72€
5-24
2.34€
25-49
2.08€
50-99
1.85€
100+
1.57€
Gleichwertigkeit vorhanden
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NPN-Transistor MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Kosten): 1pF. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Spec info: -. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MD1802FX
24 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOWATT218FX
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
1500V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Funktion
Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
15A
Kosten)
1pF
Maximaler hFE-Gewinn
8.5
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5.5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
57W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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