NPN-Transistor DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. FT: kHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Produktionsdatum: 2014/49. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:16