NPN-Transistor BUV27, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 240V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57