NPN-Transistor BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V

NPN-Transistor BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.92€
5-14
1.71€
15-24
1.56€
25-49
1.44€
50+
1.21€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 15

NPN-Transistor BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 13.5. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1150V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUL312FP
24 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
500V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
kHz
Funktion
Schnelles Hochspannungsschalten
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Maximaler hFE-Gewinn
13.5
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
8:1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
36W
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
150 ns
Tf(min)
80 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1150V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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