NPN-Transistor BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1600V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Leistung: 90W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Polarität: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31