NPN-Transistor BUH315D, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: „Hochauflösend“. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Maximaler hFE-Gewinn: 9. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 2.5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Spec info: MONITOR. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31