NPN-Transistor BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V
Menge
Stückpreis
1-4
5.28€
5-24
4.67€
25-49
4.14€
50+
3.87€
| Menge auf Lager: 6 |
NPN-Transistor BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: Abfallzeit 625 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 3400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Spec info: 360-450V Clamping. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31
BUB323ZG
14 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
D2PAK ( TO-263 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
D2PAK ( TO-263 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
350V
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
Abfallzeit 625 ns
Halbleitermaterial
Silizium
Maximaler hFE-Gewinn
3400
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
500
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Spec info
360-450V Clamping
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor