NPN-Transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Widerstand: 42 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31